Hersteller Produktnummer:
TK110Z65Z,S1F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK110Z65Z,S1F-DG
Beschreibung:
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Through Hole TO-247-4L(T)
Inventar:
15 Stück Neu Original Auf Lager
12987888
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TK110Z65Z,S1F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.02mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2250 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4L(T)
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
264-TK110Z65Z,S1F
264-TK110Z65ZS1F
264-TK110Z65Z,S1F-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DI020P06PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
PJZ9NA90_T0_10001
MOSFET
