Hersteller Produktnummer:
TK110U65Z,RQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK110U65Z,RQ-DG
Beschreibung:
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Surface Mount TOLL
Inventar:
3960 Stück Neu Original Auf Lager
12989781
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TK110U65Z,RQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DTMOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.02mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2250 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TOLL
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
264-TK110U65ZRQCT
264-TK110U65ZRQDKR
TK110U65Z,RQ(S
264-TK110U65ZRQTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPW65R090CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
UJ4SC075018B7S
750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
IRF100P219AKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
