Hersteller Produktnummer:
TJ9A10M3,S4Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TJ9A10M3,S4Q-DG
Beschreibung:
TJ9A10M3,S4Q
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 9A (Ta) 19W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
13002344
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TJ9A10M3,S4Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2900 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
19W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TJ9A10
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
264-TJ9A10M3S4Q
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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