TDTC143Z,LM
Hersteller Produktnummer:

TDTC143Z,LM

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TDTC143Z,LM-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 320 mW Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

3000 Stück Neu Original Auf Lager
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TDTC143Z,LM Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
320 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
TDTC143

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
TDTC143Z

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-TDTC143Z,LMCT
264-TDTC143ZLMTR
264-TDTC143ZLMTR-DG
264-TDTC143Z,LMDKR
264-TDTC143Z,LMTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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