Hersteller Produktnummer:
TDTA114Y,LM
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TDTA114Y,LM-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 320 mW Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
2990 Stück Neu Original Auf Lager
12889691
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TDTA114Y,LM Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
90 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
320 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
TDTA114
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TDTA114Y,LM(B
TDTA114YLMTR
TDTA114Y,LM(T
TDTA114YLMCT
TDTA114YLMDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
SMUN2114T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
29530
TEILNUMMER
SMUN2114T1G-DG
Einheitspreis
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