T2N7002BK,LM
Hersteller Produktnummer:

T2N7002BK,LM

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

T2N7002BK,LM-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 400mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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T2N7002BK,LM Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
320mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
T2N7002

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
T2N7002BKLM
T2N7002BK,LM(B
T2N7002BKLMDKR
T2N7002BKLMCT
T2N7002BKLMTR
T2N7002BK,LM(T

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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