Hersteller Produktnummer:
SSM6P16FE(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6P16FE(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventar:
12889331
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SSM6P16FE(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11 pF @ 3 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer
SSM6P16
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SSM6P16FE(TE85LF)TR
SSM6P16FETE85LF
SSM6P16FE(TE85LF)CT
SSM6P16FE(TE85LF)DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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