Hersteller Produktnummer:
SSM6N61NU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6N61NU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6UDFNB
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 4A 2W Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12890035
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SSM6N61NU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
410pF @ 10V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
6-UDFNB (2x2)
Basis-Produktnummer
SSM6N61
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6N61NU,LF(T
SSM6N61NULFTR-DG
SSM6N61NULFDKR
SSM6N61NU,LF(B
SSM6N61NULFCT
SSM6N61NULFCT-DG
264-SSM6N61NU,LFDKR
264-SSM6N61NU,LFTR
264-SSM6N61NU,LFCT
SSM6N61NULFTR
SSM6N61NULFDKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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