Hersteller Produktnummer:
SSM6N35FE,LM
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6N35FE,LM-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 180mA 150mW Surface Mount ES6
Inventar:
3450 Stück Neu Original Auf Lager
12889583
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SSM6N35FE,LM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9.5pF @ 3V
Leistung - Max
150mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
SSM6N35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SSM6N35FE,LM(T
SSM6N35FE(TE85LF)CT-DG
SSM6N35FE(TE85LF)DKR-DG
SSM6N35FE(TE85L,F)
SSM6N35FELMCT
SSM6N35FE(TE85LF)TR-DG
SSM6N35FETE85LF
SSM6N35FE(TE85LF)DKR
SSM6N35FE,LM(B
SSM6N35FELMDKR
SSM6N35FE(TE85LF)CT
SSM6N35FE(TE85LF)TR
SSM6N35FELMTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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