Hersteller Produktnummer:
SSM6L39TU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6L39TU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 800mA 500mW Surface Mount UF6
Inventar:
6549 Stück Neu Original Auf Lager
12889868
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SSM6L39TU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
800mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
143mOhm @ 600MA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
268pF @ 10V
Leistung - Max
500mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket für Lieferanten
UF6
Basis-Produktnummer
SSM6L39
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6L39TU,LF(T
SSM6L13TU(T5LFT)DKR-DG
SSM6L39TULFCT-DG
264-SSM6L39TU,LFCT
SSM6L39TULFCT
SSM6L13TU(T5LFT)DKR
SSM6L13TU(T5LFT)CT-DG
SSM6L39TULFDKR
264-SSM6L39TU,LFDKR
SSM6L39TULFTR
SSM6L39TULFDKR-DG
SSM6L13TU(T5LFT)CT
SSM6L39TULFTR-DG
264-SSM6L39TU,LFTR
SSM6L39TU,LF(B
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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