Hersteller Produktnummer:
SSM6L35FU(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6L35FU(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
Inventar:
2617 Stück Neu Original Auf Lager
12891303
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SSM6L35FU(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180mA, 100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9.5pF @ 3V
Leistung - Max
200mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
SSM6L35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6L35FU(TE85LF)TR
SSM6L35FU (TE85L,F)
SSM6L35FU(TE85LF)DKR
SSM6L35FU(TE85LF)CT
SSM6L35FUTE85LF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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