Hersteller Produktnummer:
SSM6K810R,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6K810R,LF-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventar:
5954 Stück Neu Original Auf Lager
12990059
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SSM6K810R,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
430 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP-F
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM6K810
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-SSM6K810RLFTR-DG
264-SSM6K810RLFTR
264-SSM6K810R,LFDKR
264-SSM6K810R,LFCT
264-SSM6K810R,LFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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