Hersteller Produktnummer:
SSM6K516NU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6K516NU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventar:
5845 Stück Neu Original Auf Lager
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SSM6K516NU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
280 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-UDFNB (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
SSM6K516
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-SSM6K516NULFDKR
264-SSM6K516NULFCT
264-SSM6K516NULFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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