Hersteller Produktnummer:
SSM6K403TU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6K403TU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6
Inventar:
29310 Stück Neu Original Auf Lager
12889428
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SSM6K403TU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIII
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 3A, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1050 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UF6
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM6K403
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6K403TULF(BDKR-DG
SSM6K403TULFTR
SSM6K403TULF(BTR
SSM6K403TULFCT
SSM6K403TULF(BCT-DG
SSM6K403TULF(BDKR
SSM6K403TU,LF(B
SSM6K403TULF(BTR-DG
SSM6K403TULF(BCT
SSM6K403TULFDKR
SSM6K403TU,LF(T
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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