Hersteller Produktnummer:
SSM6K361NU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6K361NU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventar:
40516 Stück Neu Original Auf Lager
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SSM6K361NU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
430 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-UDFNB (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
SSM6K361
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6K361NULFDKR
SSM6K361NULF(B
SSM6K361NU,LF(B
SSM6K361NULFTR
SSM6K361NULF
SSM6K361NULFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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