Hersteller Produktnummer:
SSM6J216FE,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6J216FE,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 4.8A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventar:
800 Stück Neu Original Auf Lager
12891088
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SSM6J216FE,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1040 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer
SSM6J216
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SSM6J216FELFDKR
SSM6J216FELF
SSM6J216FELFCT
SSM6J216FE,LF(A
SSM6J216FELF-DG
SSM6J216FELFTR
SSM6J216FELF(A
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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