Hersteller Produktnummer:
SSM5H90ATU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM5H90ATU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Inventar:
960 Stück Neu Original Auf Lager
12890158
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SSM5H90ATU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 1.5A, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.2 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
200 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UFV
Paket / Koffer
5-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM5H90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM5H90ATULFTR-DG
264-SSM5H90ATU,LFDKR
SSM5H90ATULFCT
SSM5H90ATULFDKR-DG
SSM5H90ATU,LF(B
SSM5H90ATULFTR
SSM5H90ATULFDKR
SSM5H90ATU,LF(T
264-SSM5H90ATU,LFCT
264-SSM5H90ATU,LFTR
SSM5H90ATULFCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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