Hersteller Produktnummer:
SSM5H16TU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM5H16TU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Inventar:
3515 Stück Neu Original Auf Lager
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SSM5H16TU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIII
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
133mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
123 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UFV
Paket / Koffer
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Basis-Produktnummer
SSM5H16
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM5H16TULFCT
SSM5H16TU,LF(B
SSM5H16TULFDKR
SSM5H16TULFTR
SSM5H16TU,LF(T
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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