Hersteller Produktnummer:
SSM3K316T(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3K316T(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Inventar:
12889547
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SSM3K316T(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
270 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSM
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SSM3K316
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3K316T(TE85LF)DKR
SSM3K316T(TE85LF)TR
SSM3K316T(T5LFT)TR
SSM3K316TTE85LF
SSM3K316T(TE85LF)CT
SSM3K316T(T5LFT)CT
SSM3K316T(T5LFT)DKR
SSM3K316T(T5LFT)TR-DG
SSM3K316T(T5LFT)DKR-DG
SSM3K316T(T5LFT)CT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SSM3K324R,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
24151
TEILNUMMER
SSM3K324R,LF-DG
Einheitspreis
0.05
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