Hersteller Produktnummer:
SSM3K15ACT,L3F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3K15ACT,L3F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventar:
26967 Stück Neu Original Auf Lager
12891236
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SSM3K15ACT,L3F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIII
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13.5 pF @ 3 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
CST3
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Basis-Produktnummer
SSM3K15
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
SSM3K15ACTL3F(BDKR-DG
SSM3K15ACT,L3F(T
SSM3K15ACTL3F(BTR
SSM3K15ACTL3F(BCT-DG
SSM3K15ACTL3F(BTR-DG
SSM3K15ACTL3F(BCT
SSM3K15ACTL3FCT
SSM3K15ACTL3FTR
SSM3K15ACTL3FDKR
SSM3K15ACT,L3F(B
SSM3K15ACTL3F(BDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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