Hersteller Produktnummer:
SSM3K106TU(TE85L)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3K106TU(TE85L)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventar:
12889858
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SSM3K106TU(TE85L) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
π-MOSVI
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
36 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UFM
Paket / Koffer
3-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM3K106
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3K106TU(TE85L)CT
SSM3K106TU(TE85L)DKR
SSM3K106TUTE85L
SSM3K106TU(TE85L)TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RTF015N03TL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1166
TEILNUMMER
RTF015N03TL-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
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