Hersteller Produktnummer:
SSM3J375F,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J375F,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventar:
23154 Stück Neu Original Auf Lager
12949648
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SSM3J375F,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+6V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
270 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SSM3J375
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3J375FLFDKR
SSM3J375FLFTR
SSM3J375F,LF(B
SSM3J375FLFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMJ65H650SCTI
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
ZXMN3A02X8TA
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
DMP3056LSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
