Hersteller Produktnummer:
SSM3J35MFV,L3F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J35MFV,L3F-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventar:
35555 Stück Neu Original Auf Lager
12889711
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SSM3J35MFV,L3F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12.2 pF @ 3 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Paket / Koffer
SOT-723
Basis-Produktnummer
SSM3J35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
SSM3J35MFVL3F(T
SSM3J35MFVTL3T
SSM3J35MFV(TL3,T)
SSM3J35MFV(TL3T)DKR-DG
SSM3J35MFV,L3F(T
SSM3J35MFVL3FCT
SSM3J35MFV(TL3T)TR-DG
SSM3J35MFVL3FTR
SSM3J35MFV(TL3T)TR
SSM3J35MFVL3F(B
SSM3J35MFV(TL3T)DKR
SSM3J35MFVL3FDKR
SSM3J35MFV(TL3T)CT-DG
SSM3J35MFV,L3F(B
SSM3J35MFVL3F
SSM3J35MFV(TL3T)CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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