Hersteller Produktnummer:
SSM3J327R,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J327R,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventar:
49608 Stück Neu Original Auf Lager
12890891
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SSM3J327R,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
93mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
290 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23F
Paket / Koffer
SOT-23-3 Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM3J327
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3J327RLFCT
SSM3J327R,LF(T
SSM3J327RLFTR
SSM3J327RLF
SSM3J327RLFDKR
SSM3J327R,LF(B
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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