Hersteller Produktnummer:
SSM10N954L,EFF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM10N954L,EFF-DG
Beschreibung:
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 13.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TCSPAC-153001
Inventar:
10000 Stück Neu Original Auf Lager
12974372
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SSM10N954L,EFF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.75mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 1.11mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TCSPAC-153001
Paket / Koffer
10-SMD, No Lead
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
264-SSM10N954L,EFFCT-DG
264-SSM10N954L,EFFDKR-DG
264-SSM10N954L,EFFCT
264-SSM10N954L,EFFTR
264-SSM10N954LEFFTR
264-SSM10N954LEFFCT
264-SSM10N954L,EFFTR-DG
264-SSM10N954LEFFDKR
SSM10N954L,EFF(S
264-SSM10N954L,EFFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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