RN49A2,LF(CT
Hersteller Produktnummer:

RN49A2,LF(CT

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN49A2,LF(CT-DG

Beschreibung:

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6

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RN49A2,LF(CT Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz, 200MHz
Leistung - Max
200mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN49A2

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RN49A2

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN49A2,LF(CB
RN49A2T5LFTCT
RN49A2(T5L,F,T)
RN49A2LF(CTTR
RN49A2T5LFTCT-DG
RN49A2T5LFTTR
RN49A2T5LFT
RN49A2LF(CTCT
RN49A2LF(CTDKR
RN49A2T5LFTDKR-DG
RN49A2T5LFTDKR
RN49A2T5LFTTR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PUMH20,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
7540
TEILNUMMER
PUMH20,115-DG
Einheitspreis
0.03
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DIGI-Zertifizierung
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