Hersteller Produktnummer:
RN4988FE,LXHF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN4988FE,LXHF(CT-DG
Beschreibung:
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
8000 Stück Neu Original Auf Lager
12973869
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EINREICHEN
RN4988FE,LXHF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
22kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz, 200MHz
Leistung - Max
100mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
RN4988
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
264-RN4988FE,LXHF(CT
264-RN4988FELXHF(CT
264-RN4988FE,LXHF(CTDKR
264-RN4988FE,LXHF(CTDKR-DG
264-RN4988FE,LXHF(CTTR-DG
264-RN4988FE,LXHF(CT-DG
264-RN4988FELXHF(CTTR
264-RN4988FELXHF(CTDKR
264-RN4988FE,LXHF(CTTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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