Hersteller Produktnummer:
RN4910FE,LXHF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN4910FE,LXHF(CT-DG
Beschreibung:
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
8000 Stück Neu Original Auf Lager
12996001
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RN4910FE,LXHF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200MHz, 250MHz
Leistung - Max
100mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
RN4910
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
264-RN4910FE,LXHF(CT
264-RN4910FELXHF(CT
264-RN4910FE,LXHF(CTTR
264-RN4910FE,LXHF(CTDKR
264-RN4910FELXHF(CTDKR
264-RN4910FE,LXHF(CTDKR-DG
264-RN4910FELXHF(CTTR
264-RN4910FE,LXHF(CTTR-DG
264-RN4910FE,LXHF(CT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RN2905FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
RN2911FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
RN4981FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
