Hersteller Produktnummer:
RN2909,LXHF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN2909,LXHF(CT-DG
Beschreibung:
AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
6000 Stück Neu Original Auf Lager
12966122
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RN2909,LXHF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200MHz
Leistung - Max
200mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN2909
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN2909,LXHF(CTTR-DG
264-RN2909,LXHF(CTDKR
264-RN2909LXHF(CT
264-RN2909,LXHF(CT
264-RN2909LXHF(CTTR
264-RN2909LXHF(CTDKR
264-RN2909,LXHF(CT-DG
264-RN2909,LXHF(CTDKR-DG
264-RN2909,LXHF(CTTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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