RN2904FE,LF
Hersteller Produktnummer:

RN2904FE,LF

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN2904FE,LF-DG

Beschreibung:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventar:

4000 Stück Neu Original Auf Lager
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RN2904FE,LF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200MHz
Leistung - Max
100mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
RN2904

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
RN2904FELFDKR-DG
RN2904FE,LF(CB
RN2904FELFTR-DG
RN2904FELF(CTTR
RN2904FELF(CTTR-DG
264-RN2904FE,LFDKR
264-RN2904FE,LFCT
RN2904FELFCT-DG
RN2904FELF(CTDKR
264-RN2904FE,LFTR
RN2904FELFTR
RN2904FELF(CTCT-DG
RN2904FELFCT
RN2904FELFDKR
RN2904FELF(CTDKR-DG
RN2904FE,LF(CT
RN2904FELF(CTCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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