RN2903,LXHF(CT
Hersteller Produktnummer:

RN2903,LXHF(CT

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN2903,LXHF(CT-DG

Beschreibung:

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6

Inventar:

2990 Stück Neu Original Auf Lager
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RN2903,LXHF(CT Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
22kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200MHz
Leistung - Max
200mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN2903

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN2903LXHF(CTDKR-DG
264-RN2903,LXHF(CTDKR
264-RN2903,LXHF(CTDKR-DG
264-RN2903LXHF(CT
264-RN2903,LXHF(CT
264-RN2903LXHF(CTTR-DG
264-RN2903LXHF(CT-DG
264-RN2903,LXHF(CTTR-DG
264-RN2903,LXHF(CT-DG
264-RN2903,LXHF(CTTR
264-RN2903LXHF(CTTR
264-RN2903LXHF(CTDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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