Hersteller Produktnummer:
RN2714,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN2714,LF-DG
Beschreibung:
PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200mW Surface Mount USV
Inventar:
12890059
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EINREICHEN
RN2714,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
1kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
200mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Gerätepaket für Lieferanten
USV
Basis-Produktnummer
RN2714
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN2714LFCT
RN2714LFDKR
RN2714,LF(B
RN2714LFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
RN2701,LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RN2701,LF-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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