Hersteller Produktnummer:
RN2422TE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN2422TE85LF-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
4309 Stück Neu Original Auf Lager
12891167
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RN2422TE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
65 @ 100mA, 1V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
RN2422
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN2422(TE85L,F)
RN2422TE85LF-DG
264-RN2422TE85LFCT
264-RN2422TE85LFTR
264-RN2422TE85LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RN1306,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1110MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2104ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
