RN2413,LXHF
Hersteller Produktnummer:

RN2413,LXHF

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN2413,LXHF-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Inventar:

3000 Stück Neu Original Auf Lager
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RN2413,LXHF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
RN2413

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN2413,LXHFDKR
264-RN2413,LXHFTR-DG
264-RN2413LXHFTR
264-RN2413,LXHFCT-DG
264-RN2413,LXHFTR
264-RN2413LXHFCT
264-RN2413,LXHFCT
264-RN2413,LXHFDKR-DG
264-RN2413LXHFDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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