RN2309(TE85L,F)
Hersteller Produktnummer:

RN2309(TE85L,F)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN2309(TE85L,F)-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Inventar:

2698 Stück Neu Original Auf Lager
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RN2309(TE85L,F) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70
Basis-Produktnummer
RN2309

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RN2307 to RN2309

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN2309(TE85LF)-DG
RN2309TE85LF
RN2309(TE85LF)CT
RN2309(TE85LF)DKR
RN2309(TE85LF)TR
RN2309(TE85LF)

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
PDTA144WU,115
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
162000
TEILNUMMER
PDTA144WU,115-DG
Einheitspreis
0.02
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ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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