RN2109MFV,L3F
Hersteller Produktnummer:

RN2109MFV,L3F

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN2109MFV,L3F-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventar:

7950 Stück Neu Original Auf Lager
12890247
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

RN2109MFV,L3F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Basis-Produktnummer
RN2109

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
264-RN2109MFV,L3FTR
RN2109MFVL3F-DG
RN2109MFVL3F
264-RN2109MFV,L3FCT
264-RN2109MFV,L3FDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTA144WM3T5G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DTA144WM3T5G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DDTD143EC-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2317(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70

diodes

DDTA124XUA-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1307,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70