Hersteller Produktnummer:
RN2103MFV,L3F(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN2103MFV,L3F(CT-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
6760 Stück Neu Original Auf Lager
13275862
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RN2103MFV,L3F(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Basis-Produktnummer
RN2103
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
264-RN2103MFVL3F(DKR
264-RN2103MFVL3F(CT
264-RN2103MFVL3F(TR
RN2103MFV,L3F(CB
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RN1117(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2423(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
RN1108,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM