Hersteller Produktnummer:
RN2101,LXHF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN2101,LXHF(CT-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventar:
5986 Stück Neu Original Auf Lager
12969672
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RN2101,LXHF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
100 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SSM
Basis-Produktnummer
RN2101
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN2101LXHF(CTTR
264-RN2101LXHF(CTTR-DG
264-RN2101LXHF(CT-DG
264-RN2101LXHF(CTDKR-DG
264-RN2101LXHF(CTDKR
264-RN2101,LXHF(CTDKR
264-RN2101,LXHF(CTTR
264-RN2101LXHF(CT
264-RN2101,LXHF(CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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