RN1962TE85LF
Hersteller Produktnummer:

RN1962TE85LF

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1962TE85LF-DG

Beschreibung:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 500mW Surface Mount US6

Inventar:

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RN1962TE85LF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
500mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN1962

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RN1961-66

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1962TE85LFCT
RN1962TE85LFDKR
RN1962(TE85L,F)
RN1962TE85LFTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PUMH11,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
32211
TEILNUMMER
PUMH11,115-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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Teilenummer
DCX114EU-13R-F
HERSTELLER
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cr
certification_015
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