Hersteller Produktnummer:
RN1911,LF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1911,LF(CT-DG
Beschreibung:
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
Inventar:
12889233
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EINREICHEN
RN1911,LF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
100mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN1911
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1911LF(CTDKR
RN1911LF(CTTR
RN1911,LF(CB
RN1911LF(CTCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MUN5215DW1T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
8150
TEILNUMMER
MUN5215DW1T1G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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PUMH4,115
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