RN1905(T5L,F,T)
Hersteller Produktnummer:

RN1905(T5L,F,T)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1905(T5L,F,T)-DG

Beschreibung:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

Inventar:

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RN1905(T5L,F,T) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
200mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN1905

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1905(T5LFT)CT
RN1905(T5LFT)DKR
RN1905(T5LFT)TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
MUN5235DW1T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
10031
TEILNUMMER
MUN5235DW1T1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Direct
Teilenummer
DDC123JU-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
42501
TEILNUMMER
DDC123JU-7-F-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Direct
Teilenummer
UMH10NTN
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
37094
TEILNUMMER
UMH10NTN-DG
Einheitspreis
0.06
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