Hersteller Produktnummer:
RN1904FE,LF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1904FE,LF(CT-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
3425 Stück Neu Original Auf Lager
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RN1904FE,LF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
100mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
RN1904
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
RN1904FE(T5LFT)DKR
RN1904FE(T5LFT)CT
RN1904FELF(CTTR
RN1904FE(T5LFT)TR
264-RN1904FE,LF(CTTR
264-RN1904FE,LF(CT
RN1904FE(T5L,F,T)
RN1904FE(T5LFT)DKR-DG
RN1904FELF(CTDKR-DG
264-RN1904FE,LF(CTDKR
RN1904FELF(CTTR-DG
RN1904FELF(CTCT-DG
RN1904FELF(CTDKR
RN1904FE(T5LFT)TR-DG
RN1904FELF(CTCT
RN1904FE,LF(CB
RN1904FE(T5LFT)CT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
EMH2T2R
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
87850
TEILNUMMER
EMH2T2R-DG
Einheitspreis
0.08
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