Hersteller Produktnummer:
RN1904,LF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1904,LF(CT-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12889581
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RN1904,LF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
200mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN1904
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1904LF(CTDKR
RN1904LF(CTCT-DG
RN1904LF(CT
RN1904LF(CTCT
264-RN1904,LF(CT
RN1904LF(CTTR-DG
RN1904,LF(CB
RN1904T5LFT
RN1904(T5LFT)DKR-DG
RN1904(T5LFT)CT-DG
RN1904(T5LFT)TR-DG
264-RN1904,LF(CTDKR
RN1904(T5LFT)TR
RN1904LF(CTDKR-DG
RN1904(T5LFT)CT
RN1904(T5LFT)DKR
RN1904(T5L,F,T)
RN1904LF(CT-DG
RN1904LF(CTTR
264-RN1904,LF(CTTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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