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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
RN1902T5LFT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1902T5LFT-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12891252
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RN1902T5LFT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
200mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN1902
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1902T5LFTCT
RN1902T5LFTTR
RN1902(T5L,F,T)
RN1902T5LFTDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DCX114EU-13R-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
9650
TEILNUMMER
DCX114EU-13R-F-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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UMH11NTN
HERSTELLER
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VERFÜGBARE ANZAHL
5963
TEILNUMMER
UMH11NTN-DG
Einheitspreis
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ERSATZART
Direct
Teilenummer
DDC114EUQ-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
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