RN1902T5LFT
Hersteller Produktnummer:

RN1902T5LFT

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1902T5LFT-DG

Beschreibung:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

Inventar:

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RN1902T5LFT Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
200mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN1902

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1902T5LFTCT
RN1902T5LFTTR
RN1902(T5L,F,T)
RN1902T5LFTDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DCX114EU-13R-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
9650
TEILNUMMER
DCX114EU-13R-F-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
UMH11NTN
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
5963
TEILNUMMER
UMH11NTN-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
Direct
Teilenummer
DDC114EUQ-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DDC114EUQ-7-F-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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Teilenummer
PUMD3,135
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
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TEILNUMMER
PUMD3,135-DG
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PUMD3,125-DG
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