Hersteller Produktnummer:
RN1701,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1701,LF-DG
Beschreibung:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventar:
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RN1701,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
200mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Gerätepaket für Lieferanten
USV
Basis-Produktnummer
RN1701
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1701LFCT
RN1701LFTR
RN1701LFDKR
RN1701,LF(T
RN1701,LF(B
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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