RN1309,LF
Hersteller Produktnummer:

RN1309,LF

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1309,LF-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Inventar:

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12949725
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RN1309,LF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70
Basis-Produktnummer
RN1309

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RN1307-09

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN1309,LFTR
264-RN1309,LFCT
RN1309LF-DG
RN1309LF
264-RN1309,LFDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
DDTC144WUA-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DDTC144WUA-7-F-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
PDTC144WU,115
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
42000
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PDTC144WU,115-DG
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TEILNUMMER
NSVMUN5237T1G-DG
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0.02
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
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cr
certification_015
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