RN1117(T5L,F,T)
Hersteller Produktnummer:

RN1117(T5L,F,T)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1117(T5L,F,T)-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Inventar:

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RN1117(T5L,F,T) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SSM
Basis-Produktnummer
RN1117

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RN1114,5,6,7,8

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1117 (T5L,F,T)
RN1117(T5LFT)TR
RN1117(T5LFT)CT
RN1117T5LFT
RN1117(T5LFT)DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
DDTC114WE-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DDTC114WE-7-F-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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Teilenummer
RN1117MFV,L3F
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RN1117MFV,L3F-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
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certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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