RN1110,LF(CT
Hersteller Produktnummer:

RN1110,LF(CT

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1110,LF(CT-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Inventar:

2978 Stück Neu Original Auf Lager
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RN1110,LF(CT Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SSM
Basis-Produktnummer
RN1110

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN1110,LF(CTTR
264-RN1110,LF(CTDKR
RN1110LF(CT-DG
RN1110LF(CT
RN1110,LF(CB
264-RN1110,LF(CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
DTC143TET1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
12000
TEILNUMMER
DTC143TET1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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