Hersteller Produktnummer:
RN1110,LF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1110,LF(CT-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventar:
2978 Stück Neu Original Auf Lager
12891365
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RN1110,LF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SSM
Basis-Produktnummer
RN1110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN1110,LF(CTTR
264-RN1110,LF(CTDKR
RN1110LF(CT-DG
RN1110LF(CT
RN1110,LF(CB
264-RN1110,LF(CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
DTC143TET1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
12000
TEILNUMMER
DTC143TET1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RN1109,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2103,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN1308,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70