RN1108MFV,L3F
Hersteller Produktnummer:

RN1108MFV,L3F

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1108MFV,L3F-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventar:

6661 Stück Neu Original Auf Lager
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RN1108MFV,L3F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Basis-Produktnummer
RN1108

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
RN1108MFVL3FTR
RN1108MFV,L3F(T
RN1108MFVL3FCT
RN1108MFVL3FDKR
RN1108MFV,L3F(B
RN1108MFVL3F
RN1108MFVL3F-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTC124TMT2L
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
7980
TEILNUMMER
DTC124TMT2L-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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