RN1105ACT(TPL3)
Hersteller Produktnummer:

RN1105ACT(TPL3)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1105ACT(TPL3)-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventar:

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RN1105ACT(TPL3) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
CST3
Basis-Produktnummer
RN1105

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
RN1105ACT(TPL3)TR
RN1105ACT(TPL3)CT
RN1105ACT(TPL3)DKR
RN1105ACT (TPL3)

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DDTC123JLP-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DDTC123JLP-7-DG
Einheitspreis
0.09
ERSATZART
Similar
Teilenummer
PDTC123YMB,315
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
104793
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PDTC123YMB,315-DG
Einheitspreis
0.03
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DIGI-Zertifizierung
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certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
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